Регистрация | Последние сообщения | Персональный список | Поиск | Настройка конференции | Личные данные | Правила конференции | Список участников | Top 64 | Статистика раздела | faq | Что нового v.2.3 | Чат
Skunk Forum - Техника, Наука, Общество » Форум разработчиков РЭА »
Переключатель полярности с высоким КПД. (страница 2)

Версия для печати (настроить)
Страницы: 1 2

Новая тема | Написать ответ

Подписаться

Автор Тема:   Переключатель полярности с высоким КПД.
AlexOr
Member

Сообщений: 329
Откуда: СПб
Регистрация: Май 2003

написано 19 Ноября 2003 15:00ИнфоПравкаОтветитьIP

Alex P.
когда скорость выделения тепла
Это и есть мощность.
В момент переключения она весьма велика и без всякого сверх тока.
Например 50В и 20А это 1кВт.

Весельчак У
Moderator

Сообщений: 4388
Откуда: Санктъ-Питербурхъ
Регистрация: Декабрь 2000

написано 20 Ноября 2003 02:55ИнфоПравкаОтветитьIP

Alex P.
монолитные составные транзисторы специально должны быть рассчитаны так, чтобы убрать нестыковку параметров повторителя и оконечного ключа.
Я имел в виду не это, а то, что можно задать базовый ток второго транзистора напрямую, через эмиттерный переход первого транзистора, не используя усилительные свойства первого транзистора.

Ты мягко опустил приведенный мною пример , где указан одиночный транзистор КТ819, имеющий падение напряжения на переходе при токе 20 А более 5 Вольт
А зачем здесь 20 А? Написано же "10 А". Ежели бы было написано 20 А, можно было бы выбрать другой транзистор (хотя лучше ТТ реле), я бы так и сделал. А 819 взят просто для примера. Можно, например, взять ТК135-25 гр.I - при токе коллектора 12,5 А, Uкэнас=0,6 В. У какого составного транзистора есть ещё такие параметры?

исходя из твоей логики
Похоже, что ты невнимательно читал моё предыдущее сообщение.

значительно понижая температуру, мы можем улучшить максимальный ток и тп
Достаточно установить мощный теплоотвод (с запасом)
Некоторое противоречие.
Но и эти утверждения не совсем (или совсем не ?) соответствуют истине.
Ежели понижая температуру мы и может повысить максимальный ток, то не очень намного. Максимальный ток, помимо простого перегрева, ограничен зонами локального перегрева ("горячие точки"), которые вызовут местный, а затем и общий тепловой пробой, независимо от температуры корпуса. Даже экстремальные гонщики процессоров добивабтся только некоторого увеличения тактовой частоты, отнюдь не безграничного - после некоторого предела рост частоты останавливается, и не только из-за подвижности зараядов (старшие модели разгоняются дальше этого предела), а именно из-за перегрева.
А сколь угодно мощный теплоотвод вообще не позволит превысить паспортные данные. 20 А и 125 Вт определены из расчёта -60 < Tк < +25 C. Температура перехода при Tк=25 C составляет 200 C. Дальнейшее повышение мощности приведёт к повышению температуры перехода (при неизменной температуре корпуса) и тепловому пробою. Тепловое сопротивление Rtпк определено 1,4 C/Вт, причём несколько меняется, в зависимости от режима работы.

AlexOr
Member

Сообщений: 333
Откуда: СПб
Регистрация: Май 2003

написано 22 Ноября 2003 05:33ИнфоПравкаОтветитьIP

Весельчак У

Alex P.
Member

Сообщений: 4031
Откуда: SPb
Регистрация: Июнь 2001

написано 22 Ноября 2003 12:40ИнфоПравкаОтветитьIP

Весельчак У
можно задать базовый ток второго транзистора напрямую, через эмиттерный переход первого транзистора, не используя усилительные свойства первого транзистора.
Это как же, интересно, через его пробитый переход :)? Если мы пропускаем сигнал управления через переход повторителя, то мы уже используем его усилительные свойства, вероятно, это не потребуется подробно расписывать? Нет смысла в применении повторителя, не усиливающего сигнал по мощности. Немногие составные транзисторы имеют дополнительный выход базы оконечного ключа


А 819 взят просто для примера.
Это приведенный тобой пример
исходя из твоей логики
--Похоже, что ты невнимательно читал моё предыдущее сообщение.

По моему, твоя фраза "Нельзя забывать, что составные транзисторы принципиально имеют повышенные напряжения насыщения (пояснить? )" трактуется однозначно- все составные транзисторы имеют принципиально большее напряжение на переходе в режиме насыщения :), также ты пишешь "В обычных транзисторах близкой мощности (КТ819) напряжение насыщения действительно может быть около 1 В ", на что я тебе заметил, что на этом транзисторе падение на переходе достигает при равном с 827 максимальном паспортном токе 5-6 вольт, то есть в разы больше, чем на составном 827.
Ты и далее будешь придираться к моей внимательности? :)

Но и эти утверждения не совсем (или совсем не ?) соответствуют истине.
Можно писать очень долго, но для тебя и AlexOr , с вашего позволения, будет одна задачка- есть транзисторы кт 819 и кт 819 гм, они имеют одинаковые кристаллы, идентичные параметры, кроме токов и корпусов. В металлопластмассовом корпусе 10 А, в металлостеклянном а-ля 827 20 А. А теперь докажите ,что
А сколь угодно мощный теплоотвод вообще не позволит превысить паспортные данные.
Каким же образом я получал 30 А (больше у меня не вытягивал источник питания), не разрушая переход?

Даже экстремальные гонщики процессоров
Некорректно сравнивать абсолютно разные по реакции системы- большие интегральные схемы и одиночные мощные структуры, хоть они и схожи тем, что выделяют одинаковое количество тепла при работе, процессы тепловыделения и теплового пробоя там совершенно разные, как и конструктив

AlexOr
Member

Сообщений: 334
Откуда: СПб
Регистрация: Май 2003

написано 22 Ноября 2003 14:50ИнфоПравкаОтветитьIP

Alex P.
будет одна задачка- есть транзисторы
ну ну

Каким же образом я получал 30 А (больше у меня не вытягивал источник питания), не разрушая переход?
Статический режим плюс деградация.

процессы тепловыделения и теплового пробоя там совершенно разные
Да все одинаково. Один фиг кристалл греется неравномерно, а за несколько десятков микросекунд тепло не то что до радиатора, даже до подложки не дойдет.
И необязательно что закончится пробоем. Необратимые изменения ведь тоже недопустимы.

Добавление от 22 Ноября 2003 15:07:

фраза "Нельзя забывать, что составные транзисторы принципиально имеют повышенные напряжения насыщения (пояснить? )" трактуется однозначно-
А по-моему совсем не однозначно - при желании или ... можно и не такое дерьмо сотворить.

Весельчак У
Moderator

Сообщений: 4400
Откуда: Санктъ-Питербурхъ
Регистрация: Декабрь 2000

написано 23 Ноября 2003 02:50ИнфоПравкаОтветитьIP

Alex P.
Это как же, интересно, через его пробитый переход ? Если мы пропускаем сигнал управления через переход повторителя, то мы уже используем его усилительные свойства
Как диод. Один переход транзистора ничего не усилит.

Нет смысла в применении повторителя, не усиливающего сигнал по мощности.
Вообще-то, да. Но для уменьшения напряжения насыщения к-э можно попробовать.

на этом транзисторе падение на переходе достигает при равном с 827 максимальном паспортном токе 5-6 вольт
Ну, уел. Только есть несколько возражений.
1. В справочнике, очевидно, путаница. Максимальный ток 2Т819 15 А, а данные по Uкэнас приводят для 20 А. Так что токи разные - в одном максимальный, а в другом, такое впечатление, импульсный.
2. Типичные данные Uкэнас у 2Т827 2,4 В, у 2Т819 1,5 В, видимо производитель излишне перестраховался. С минимальными значениями разница ещё больше ( 1,8 и 0,7).
3. 2Т819 более старой разработки, видимо поэтому и максимальное значение завышено.
4. 2Т819 всё-таки чуть менее мощный.

в металлостеклянном а-ля 827 20 А
Только 15.

Каким же образом я получал 30 А
Сколько экземпляров было использовано (без подборки) и насколько, относительно заявленного производителем, снизился срок службы транзистора? Не секрет, что параметры всегда даются с запасом и для определённого срока службы.

процессы тепловыделения и теплового пробоя там совершенно разные
Парафизика?

Ты и далее будешь придираться к моей внимательности?
Буду!
Может справочники ты и внимательно читаешь, а мои сообщения - по диагонали.

Alex P.
Member

Сообщений: 4033
Откуда: SPb
Регистрация: Июнь 2001

написано 24 Ноября 2003 00:54ИнфоПравкаОтветитьIP

Весельчак У
Хорошо, не буду больше уедать, да и надоело уже спорить, хотя о чем нашлось бы, ты постов подбавил

процессы тепловыделения и теплового пробоя там совершенно разные
Парафизика?

Ты сам подумай, разве могут быть идентичными процессы тепловой деградации, пробоя и тп.п в транзисторе и БИС, содержащей свыше 50 миллионов транзисторов, сделанных, к тому же, по несколько другой технологии, нежели одиночный транзистор

Весельчак У
Moderator

Сообщений: 4403
Откуда: Санктъ-Питербурхъ
Регистрация: Декабрь 2000

написано 24 Ноября 2003 02:38ИнфоПравкаОтветитьIP

Alex P.
Физика-то одна и та же.

Ваш ответ:

Коды форума
Смайлики


Ник:    Пароль       
Отключить смайлики
Страницы: 1 2

Все время MSK

Склеить | Разбить | Закрыть | Переместить | Удалить

Новая тема | Написать ответ
Последние сообщения         
Перейти к:

Свяжитесь с нами | skunksworks.net

Copyright © skunksworks.net, 2000-2018

Разработка и техническая поддержка: skunksworks.net


Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика